Característica
El óxido de hafnio (IV) es el compuesto inorgánico de fórmula HfO2. También conocido como hafnia, este sólido incoloro es uno de los compuestos más comunes y estables del hafnio. Es un aislante eléctrico con una banda prohibida de 5.3 ~ 5.7 eV. El dióxido de hafnio es un intermedio en algunos procesos que dan hafnio metálico.
Fórmula química: HfO2
Masa molar: 210,49 g / mol
Aspecto: polvo blanquecino
Densidad: 9,68 g / cm3, sólido
Punto de fusión: 2.758 ° C (4.996 ° F; 3.031 K)
Punto de ebullición: 5,400 ° C (9,750 ° F; 5,670 K)
Solubilidad en agua: insoluble
Susceptibilidad magnética (χ) ： - 23,0 · 10−6cm3/ mol
Solicitud
Hafnia se utiliza en revestimientos ópticos y como dieléctrico de alto κ en condensadores DRAM y en dispositivos semiconductores de óxido metálico avanzados.
En los últimos años, el óxido de hafnio (así como el óxido de hafnio dopado y deficiente en oxígeno) atrae un interés adicional como posible candidato para memorias de conmutación resistiva y transistores de efecto de campo ferroeléctrico compatibles con CMOS (memoria FeFET) y chips de memoria.
Debido a su alto punto de fusión, la hafnia también se utiliza como material refractario en el aislamiento de dispositivos como termopares, donde puede funcionar a temperaturas de hasta 2500 ° C.
Se han desarrollado películas multicapa de dióxido de hafnio, sílice y otros materiales para su uso en la refrigeración pasiva de edificios. Las películas reflejan la luz del sol e irradian calor en longitudes de onda que atraviesan la atmósfera de la Tierra y pueden tener temperaturas varios grados más frías que los materiales circundantes en las mismas condiciones.
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