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INVESTIGACIÓN Y DESARROLLO

CadaAño, invertimos una gran cantidad de fondos de I + D. Siempre tomamos la investigación y el desarrollo de nuevos productos y las nuevas tecnologías como la principal prioridad de la operación de nuestra empresa.OLos ingenieros de I + D han dominado muchas habilidades y experiencia.sOfrecemos estos servicios de producción personalizados de I + D para los clientes.

TI3SIC2 objetivo de sinterización

TI3SIC2 es un cristal hexagonal, que se compone de capa SI plana conectada por TI C Octaedro para formar estructura en capas.
TI3SIC2 Al igual que el metal tiene un excelente conductor térmico, fácil de procesar, relativamente \"suave \", no sensible al shock térmico, como la cerámica con una buena resistencia a la oxidación, la más importante sigue manteniendo la alta resistencia a alta temperatura. TI3SIC2 integra las características de la cerámica y el metal, el alto módulo elástico, el alto punto de fusión y la estabilidad de alta temperatura reflejan las propiedades de cerámica similar;
Personaje:
Densidad: 4.64g / cm2,
Resistor: ~ 10Ω
No hay diferencia de color, sin manchas.

Zrs2 Powder, 99.9%, -100mesh

El disulfuro de circonio (ZRS2) tiene una estructura en capas y pertenece a dicalcogénidos metálicos de transición de grupo IV (TMDCS). ZRS2 es termodinámicamente estable, respetuoso con el medio ambiente con alta sensibilidad y producción de bajo costo. Las monocapas ZRS2 mostraron que las características de transporte obvias de TIPO N con movilidad relativamente alta.
Aplicaciones:
ZRS2 es un material prometedor para optoelectrónica debido a su mayor movilidad portadora a temperatura ambiente y mayor densidad de corriente que MOS2, que son deseables para dispositivos de baja potencia. Con una banda indirecta alrededor de 1.7 EV y Banda directa alrededor de 2.0 EV para el monocapa, ZRS2 encuentra aplicaciones en termoeléctricas, células solares Schottky, fotodetectores, FETS y producción de hidrógeno catalítico.
ZRS2 2D Nanomaterials tiene una alta movilidad electrónica, es decir, 1200 cm2 / vs, que es más THAM tres veces más grande que la del MOS2 ampliamente investigado (340 cm2 / Vs). Los dispositivos FET basados ​​en ZRS2 tienen una mayor sensibilidad electrónica y excelentes propiedades semiconductoras. Los cálculos mostraron que los transistores de campo de perfecto de túnel basados ​​en ZRS2 (TFETS) pueden tener densidades de corriente de hoja de hasta 800 μA / μm (100 veces más altas que las de MOS2), dando el aumento del gran potencial de aplicación en dispositivos de baja potencia.

Objetivo de difusión de IZO, 99.9%.

Nombre del producto: óxido de zinc de indio (IZO) objetivos de pulverización
Fórmula: Izo (IN2O3 / ZNO, 90/10% en peso)
Pureza: 99.9%.
Forma: objetivos de rectángulo, hecho a medida.
Tamaño: 249.6 * 125 * 6mm
El objetivo de cerámica IZO (99.99% en pureza y densidad) comprende 90% en peso de LN2O3 y 10% en peso de ZNO. El sistema de despliegue de magneto de corriente continua (DC) se utiliza para la deposición de la película. Sin / con la técnica de deposición asistida por ION (IAD), las propiedades eléctricas, ópticas y estructurales de estas películas preparadas por diferentes potencias de CC (como 50 W, 80 W y 100 W) son una condición de deposición izo izo ÍZO que es Desarrollado para aplicaciones de dispositivo de emisión de luz orgánica flexible (OLED).

Polvo de carburo de hafnio

Material de polvo de carburo de hafnio, fórmula molecular HFC, sistema de cristal cúbico de tipo de cloruro de sodio, polvo gris-negro, punto de fusión 3890 ℃, la densidad teórica 12.7 g / cm3, conductividad térmica es de 6.28 【W (m · k) -1】 (20 ℃), resistividad de volumen 1.95 * 10-4Ω · CM (2900 ℃), coeficiente de expansión térmica 6.73 * 10-6 / ℃, la resistividad de 40 ~ 50 / μl · cm, módulo elástico 35.9 * 103MPA, fuerza de compresión 1380MPA. Muy adecuado para boquillas de cohete, que se pueden usar como conos nasales de cohetes espaciales de reingreso. Utilizado en cerámica y otras industrias.

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