Arseniuro de galio (GaAs): objetivo de dispersión

Característica

El arseniuro de galio (GaAs) es un compuesto de los elementos galio y arsénico.Es un semiconductor de banda prohibida directa III-V con una estructura cristalina de mezcla de zinc.

Fórmula química: GaAs

Masa molar: 144,645 g / mol

Apariencia: cristales grises

Olor: parecido al ajo cuando se humedece

Densidad: 5.3176 g / cm³

Punto de fusión: 1.238 ° C (2.260 ° F; 1.511 K)

Solubilidad en agua insoluble

Solubilidad: soluble en HCl

insoluble en etanol, metanol, acetona

Band gap：1.441 eV (a 300 K)

Movilidad de electrones: 9000 cm2 / (V · s) (a 300 K)

Susceptibilidad magnética (χ) ： - 16,2 × 10^âˆ'6cgs

Conductividad térmica: 0,56 W / (cm · K) (a 300 K)

Índice de refracción (nD): 3,3

Estructura cristalina: mezcla de zinc

Solicitud

El arseniuro de galio se utiliza en la fabricación de dispositivos tales como circuitos integrados de frecuencia de microondas, circuitos integrados de microondas monolíticos, diodos emisores de luz infrarroja, diodos láser, células solares y ventanas ópticas.

El GaAs se utiliza a menudo como material de sustrato para el crecimiento epitaxial de otros semiconductores III-V, incluidos el arseniuro de indio y galio, el arseniuro de aluminio y galio y otros.