Arseniuro de indio (InAs)-Oblea

Característica

El arsenide indio, INAS o Indium MonoRSENIDE, es un semiconductor compuesto por indio y arsénico. Tiene la apariencia de cristales cúbicos grises con un punto de fusión de 942 ° C.

Fórmula química: INAS

Misa molar: 189.740 g / mol

Densidad: 5.67 g / cm³

Punto de fusión: 942 ° C (1,728 ° F; 1,215 K)

GAPA DE BANDA: 0.354 EV (300 K)

Movilidad electrónica: 40000 cm2 / (v * s)

Conductividad térmica: 0.27 w / (cm * k) (300 k)

Índice de refracción (ND): 3.51

Estructura de cristal: Zinc Blende

Solicitud

El arsenide indio se utiliza para la construcción de detectores de infrarrojos, para el rango de longitud de onda de 1-3.8 μm. Los detectores suelen ser fotodiodos fotovoltaicos. Los detectores criogénicamente enfriados tienen un ruido más bajo, pero los detectores INAS se pueden usar en aplicaciones de alta potencia a temperatura ambiente también. El arsenide indio también se usa para la fabricación de láseres de diodo.