Fosfuro de indio (InP)-Oblea

Característica

El fosfuro de indio (INP) es un semiconductor binario compuesto de indio y fósforo. Tiene una estructura de cristal cúbica centrada en la cara (\"zincblende \"), idéntica a la de GAAs y la mayoría de los semiconductores III-V.

Fórmula química: INP

Misa molar: 145.792 g / mol

Aspecto: Cristales cúbicos negros.

Densidad: 4.81 g / cm³, sólido

Punto de fusión: 1,062 ° C (1,944 ° F; 1,335 k)

Solubilidad: ligeramente soluble en ácidos [1]

GAPA DE BANDA: 1.344 EV (300 K; Direct)

Movilidad de electrones: 5400 cm2 / (v · s) (300 K)

Conductividad térmica: 0.68 w / (cm · k) (300 k)

Índice de refracción (ND): 3.1 (infrarrojo);

3.55 (632.8 nm)

Estructura de cristal: Zinc Blende

Solicitud

El INP se usa en electrónica de alta potencia y alta frecuencia debido a su velocidad superior de electrones con respecto a los semiconductores más comunes de silicio y arsenida de galio.

Se utilizó con arsenide de indio galio para hacer un récord que rompa el transistor bipolar de heterojunción pseudomorfo que podría operar a 604 GHz.

También tiene una banda directa, lo que hace que sea útil para dispositivos de optoelectrónica como diodos láser.

El INP también se usa como sustrato para dispositivos opto-electrónicos basados ​​en arsenidas arsenidas de arsenidas de galio de galio.