Nitruro de aluminio (AlN)-Pelets

Característica

El nitruro de aluminio (ALN) es un nitruro de aluminio sólido. Tiene una alta conductividad térmica de hasta 285 W / (m · k), y es un aislante eléctrico. Su fase de wurtzite (W-ALN) tiene una brecha de banda de ~ 6 EV a temperatura ambiente y tiene una aplicación potencial en optoelectrónica que opera a las frecuencias profundas de ultravioleta.

Fórmula química: ALN

Misa molar: 40.989 g / mol

Apariencia: Blanco al sólido amarillo pálido.

Densidad: 3.255 g / cm³

Punto de fusión: 2,500 ° C (4,530 ° F; 2,770 k)

Solubilidad en el agua: hidrolises (polvo), insoluble (monocristalino)

Solubilidad insoluble, sujeto de hidrólisis en soluciones de agua de bases y ácidos. 

BANDA GAP: 6.015 EV

Movilidad electrónica: ~ 300 cm²/ (V · s)

Conductividad térmica: 285 W / (M · K)

Índice de refracción (ND): 2.1-2.2 (cristales) 1.8-1.9 (amorfo)

Estructura de cristal: Wurtzite

Solicitud

El nitruro de aluminio cristalino de película cagada epitaxialmente se usa para sensores de onda acústica superficial (sierras) depositadas en obleas de silicio debido a las propiedades piezoeléctricas de ALN. Una aplicación es un filtro RF que se usa ampliamente en teléfonos móviles, lo que se llama un resonador acústico a granel de película delgada (FBAR). Este es un dispositivo MEMS que utiliza nitruro de aluminio emparedado entre dos capas metálicas.

Aln también se usa para construir transductores de ultrasonidos micromacados piezoeléctricos, que emiten y reciben ecografía y que se pueden usar para la gama en el aire que se encuentran en las distancias de hasta un medidor.

Los métodos de metalización están disponibles para permitir que Aln se use en aplicaciones electrónicas similares a las de la alúmina y el óxido de berilio. Aln Nanotubes Como nanotubos cuasi-onegensionales inorgánicos, que son isoelectrónicos con nanotubos de carbono, se han sugerido como sensores químicos para los gases tóxicos.

Actualmente, existe mucha investigación sobre el desarrollo de diodos emisores de luz para operar en el ultravioleta utilizando semiconductores a base de nitruro de galio y, utilizando el nitruro de galio de aluminio de la aleación, se han logrado longitudes de onda de hasta 250 nm. En 2006, se informó una emisión ineficiente de ALN LED a 210 nm.