Característica
El nitruro de galio (GAN) es un semiconductor binario III / V directo de banda directo comúnmente utilizado en diodos emisores de luz desde la década de 1990. El compuesto es un material muy duro que tiene una estructura de cristal de la wurtzite. Su amplia brecha de banda de 3.4 EV proporciona propiedades especiales [aclaraciones necesarias] para aplicaciones en optoelectrónicos, [8] [9] dispositivos de alta potencia y alta frecuencia.
Fórmula química: GAN
Misa molar: 83.730 g / mol
Aspecto: polvo amarillo
Densidad: 6.1 g / cm3
Punto de fusión:> 1600 ° C
Solubilidad en el agua: insoluble.
GAPA DE BANDA: 3.4 EV (300 K, Direct)
Movilidad electrónica: 1500 cm.2/ (V · s) (300 k)
Conductividad térmica: 1.3 w / (cm · k) (300 k)
Índice de refracción (ND): 2.429
Estructura de cristal: Wurtzite
Solicitud
Su sensibilidad a la radiación ionizante es baja (como otros nitridos del grupo III), lo que lo convierte en un material adecuado para las matrices de células solares para satélites. Las aplicaciones militares y espaciales también podrían beneficiarse ya que los dispositivos han mostrado estabilidad en los entornos de radiación.
Debido a que los transistores de GAN pueden operar a temperaturas mucho más altas y trabajar con voltajes mucho más altos que los transistores de Galium Arsenide (GAA), hacen amplificadores de potencia ideales en las frecuencias de microondas. Además, GAN ofrece características prometedoras para dispositivos THZ.
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