Característica
El nitruro de indio es un nuevo material de nitruro de tri-grupo. La atracción de este material radica en su excelente rendimiento de transporte electrónico y una banda de energía estrecha, que se espera que se utilice en la fabricación de nuevos dispositivos optoelectrónicos de alta frecuencia Terahertz.
El nitruro de indio (INN) es un tipo de material semiconductor de nitruro. La fase estable a temperatura ambiente y la presión es una estructura de la wurtzite hexagonal, que es un material semiconductor de brecha de banda directa.
Fórmula química: Inn
Misa molar: 128.83 g / mol
Aspecto: polvo negro
Densidad: 6.81 g / cm3
Punto de fusión: 1,100 ° C (2,010 ° F; 1,370 K)
Solubilidad en el agua: hidrólisis.
GAPA DE BANDA: 0.65 EV (300 K)
Movilidad de electrones: 3200 cm2 / (v.s) (300 k)
Conductividad térmica: 45 w / (m.k) (300 k)
Índice de refracción (ND): 2.9
Estructura de cristal: Wurtzite (hexagonal)
Solicitud
Actualmente hay investigaciones sobre el desarrollo de células solares que usan los semiconductores a base de nitruro. Usando una o más aleaciones de nitruro de indio galio (INGAN), se puede lograr una coincidencia óptica con el espectro solar. El banda de la posta permite que se utilicen 1900 nm hasta 1900 nm. Sin embargo, hay muchas dificultades para ser superadas si tales células solares se convertirán en una realidad comercial: el dopaje de tipo P de Inn y Ingan rico en indio es uno de los mayores desafíos. El crecimiento heteroepitaxial de la posada con otros nitruros (Gan, Aln) ha demostrado ser difícil.
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