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Polvo de arseniuro de aluminio (AlAs)

  • 22831-42-1

  • Pobre de mí

  • 133300pd

  • 99.5%

  • - 20 Malla aprox. - 200 malla

  • 245-255-0

  • UN1394

Estado de Disponibilidad:

Característica


El arsenida de aluminio o el arsenida de aluminio (ALA) es un material semiconductor con casi la misma constante de celosía que el arsenida de galio y el arsenida de galio de aluminio y un espacio de banda más amplio que el arsenida de galio. 


Fórmula química: alas

Misa molar: 101.9031 g / mol

Aspecto: cristales de naranja.

Densidad: 3.72 g / cm3

Punto de fusión: 1,740 ° C (3,160 ° F; 2,010 K)

Solubilidad en el agua: reacciona.

Solubilidad: reacciona en etanol.

GAPA DE BANDA: 2.12 EV (indirecto)

Movilidad electrónica: 200 cm2 / (v · s) (300 k)

Conductividad térmica: 0.9 w / (cm · k) (300 k)

Índice de refracción (ND): 3 (infrarrojo)


Solicitud


El arsenide de aluminio es un material semiconductor compuesto III-V y es un material ventajoso para la fabricación de dispositivos optoelectrónicos, tales como diodos emisores de luz.


El arsenide de aluminio se puede preparar utilizando métodos bien conocidos, como técnicas de epitaxy de fase líquida y vapor o técnicas de crecimiento fundido. Sin embargo, los cristales de aluminio Arsenide preparados por estos métodos son generalmente inestables y generan arsina (ceniza3) Cuando se expone a aire húmedo.


El arsenide de aluminio se puede preparar utilizando métodos bien conocidos, como técnicas de epitaxy de fase líquida y vapor o técnicas de crecimiento fundido. Sin embargo, los cristales de aluminio Arsenide preparados por estos métodos son generalmente inestables y generan arsina (ceniza3) Cuando se expone a aire húmedo.


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