Óxido de hafnio (HfO2) -ROD
Descripción del producto
Característica
El óxido de hafnio (IV) es el compuesto inorgánico de fórmula HfO2. También conocido como hafnia, este sólido incoloro es uno de los compuestos más comunes y estables del hafnio. Es un aislante eléctrico con una banda prohibida de 5.3 ~ 5.7 eV. El dióxido de hafnio es un intermedio en algunos procesos que dan hafnio metálico.
Fórmula química: HfO2
Masa molar: 210,49 g / mol
Aspecto: polvo blanquecino
Densidad: 9,68 g / cm3, sólido
Punto de fusión: 2.758 ° C (4.996 ° F; 3.031 K)
Punto de ebullición: 5,400 ° C (9,750 ° F; 5,670 K)
Solubilidad en agua: insoluble
Susceptibilidad magnética (χ) ： - 23,0 · 10−6cm3/ mol
Solicitud
Hafnia se utiliza en revestimientos ópticos y como dieléctrico de alto κ en condensadores DRAM y en dispositivos semiconductores de óxido metálico avanzados.
En los últimos años, el óxido de hafnio (así como el óxido de hafnio dopado y deficiente en oxígeno) atrae un interés adicional como posible candidato para memorias de conmutación resistiva y transistores de efecto de campo ferroeléctrico compatibles con CMOS (memoria FeFET) y chips de memoria.
Debido a su alto punto de fusión, la hafnia también se utiliza como material refractario en el aislamiento de dispositivos como termopares, donde puede funcionar a temperaturas de hasta 2500 ° C.
Se han desarrollado películas multicapa de dióxido de hafnio, sílice y otros materiales para su uso en la refrigeración pasiva de edificios. Las películas reflejan la luz del sol e irradian calor en longitudes de onda que atraviesan la atmósfera de la Tierra y pueden tener temperaturas varios grados más frías que los materiales circundantes en las mismas condiciones.